Der HF-MOSFETs ist ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, der für den Betrieb bei hohen Frequenzen vorgesehen ist, in der Regel von 100 MHz bis in den hohen GHz-Bereich.  Um bei diesen hohen Frequenzen funktionieren zu können, muss der Transistor in der linearen Region bleiben, was bedeutet, dass er trotzdem ähnlich funktioniert wie ein Widerstand zwischen Abfluss- und Quellenkontakten.  Wenn das Gerät die Sättigung erreicht, wird die Betriebsgeschwindigkeit reduziert.

HF-MOSFETs werden am häufigsten in der Leistungsverstärkung eingesetzt.  Beim Betrieb im linearen Modus müssen die Eingangssignale in der Regel nicht wesentlich modifiziert werden.  Dies bedeutet, dass das zu verstärkende Eingangssignal den Ausgangsstrom, der die Kapazität des Ausflusses durch die Quelle des MOSFETs trägt, proportional zu sich selbst anpasst. 

Wenn der HF-MOSFETs als Schaltung verwendet wird, müssen Techniken mit einer Impulsbreitenmodulation angewendet werden, um das Signal durch den MOSFETs in den Ausgang zu übersetzen.  Nachdem ein Ein-/Ausschaltmodus eines Transistors ein Wechselstrom- oder Sinussignal nicht direkt transportieren kann, müssen die Daten im Eingangssignal in Impulsbreitedaten übersetzt, durch den MOSFETs-Verstärker gesendet und dann zurück in ein stärkeres Wechselstromsignal übersetzt werden.