Dynamische Random-Access-Speicher (Dynamic Random Access Memory, DRAM) sind eine Art volatile Speicher-Technologie. Der Großteil von Computersystemen verwendet DRAM für den Hauptsystemspeicher.

So gut wie alle DRAM sind als diskrete Komponenten in Computersystemen vorhanden. Der Siliziumprozess für DRAM wurde entscheidend angepasst und kann deshalb neben dem CPU nicht integriert werden. Es sind viele Verfahren von DRAM verfügbar, um die verschiedenen Ansprüche auf dem Markt zu erfüllen. Double-Datarate-DDR-Speicher sind eine Art DRAM, die üblicherweise für Desktop- und Servercomputer verwendet werden. DDR4 ist die jüngste erhältliche Generation von DDR-Speichern. Niedrig-Energie-DDR (low power DDR, LPDDR) ist die bevorzugte Speicher-Technologie für mobile und eingebettete Systeme, mit LPDDR3 als jüngster Generation. Hochleistungs-Grafik-Workstations können grafische DDR-Speicher wie GDDR5 verwenden, wenn Geschwindigkeit und Leistung wichtiger sind als reduzierter Energieverbrauch. Es sind auch zusätzliche Typen von DRAM erhältlich.

Eine DRAM-Zelle ist einfach nur ein Speicher-Kondensator und ein Access-Transistor. Um ein Bit in eine Zelle zu schreiben, lädt sich der Kondensator mittels des Access-Gate auf. Die Zelle wird gelesen, indem der Speicher-Kondensator die entsprechende Bitline entweder auf- oder entlädt. Da der Lesevorgang zerstörend ist, müssen die ausgeschriebenen Daten auch in die entsprechende Zelle zurückgeschrieben werden. Der DRAM muss seine Arrays auch regelmäßig erneuern (in der Ordnung von Millisekunden), um Datenverlust zu verhindern.