IGBT-Chip

SKW25N120FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 46A 313W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Infineon Technologies AG

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Obsolete

• HTS

  SKW25N120FKSA1

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Kanalart

  N

• Konfiguration

  Single

• Max. Kollektor-Emitterspannung (V)

  1200

• Max. Gate-Emitter-Spannung (V)

  ±20

• Typische Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V)

  3.1

• Max. Kollektordauerstrom (A)

  46

• Max. Gate-Emitter-Leckstrom (uA)

  0.1

• Max. Leistungsaufnahme (W)

  313

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Verpackung

  Tube

• Befestigung

  Through Hole

• Verpackungshöhe

  21.1(Max)

• Verpackungsbreite

  5.16(Max)

• Verpackungslänge

  16.03(Max)

• Leiterplatte geändert

  3

• Tab

  Tab

• Standard-Verpackungsname

  TO-247

• Lieferantenverpackung

  TO-247

• Stiftanzahl

  3

• Leitungsform

  Through Hole

• Family/Series

  SKW25N120

• ALIAS

  SP000012571

• Quantity Packaging

  240

• ROHS Version

  2011/65/EU, 2015/863