Un MOSFETs RF désigne un transistor à effet de champ à semiconducteur à oxyde métallique conçu pour fonctionner à hautes fréquences, à partir de 100 MHz et dans la plage des GHz. Pour fonctionner à ces fréquences, le transistor doit souvent rester dans la zone linéaire, c'est-à-dire qu'il fait office de résistance entre les contacts d'anode et de source. Si ce dispositif arrive à saturation, sa vitesse ralentit.

On utilise couramment des transistors MOSFETs RF dans le domaine de l'amplification de puissance. En mode linéaire, il est généralement inutile de modifier considérablement le signal d'entrée. Ce dernier ajuste l'intensité maximale admissible de l'anode vers la source du MOSFETs de manière proportionnelle.

Si le MOSFETs RF fait office de commutateur, il faut mettre en œuvre des techniques de modulation d'impulsions en durée pour traduire le signal en sortie. Dans la mesure où le mode commutateur marche/arrêt d'un transistor ne peut pas transporter directement un signal alternatif ou sinusoïdal, il faut traduire les données du signal d'entrée en largeur d'impulsion, la faire passer dans l'amplificateur MOSFETs puis la traduire à nouveau en signal alternatif plus puissant.