Un transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) se compose d'un ou de plusieurs dispositifs IGBT. Ces dispositifs sont appréciés pour leur efficacité dans le domaine de l'électronique de puissance et des hautes fréquences de commutation. Ces modules peuvent souvent être conçus de manière à supporter des centaines d'ampères et des tensions dépassant les 1000 volts, ce qui représente une capacité de puissance extrêmement élevée. Il est nécessaire d'utiliser plus d'un transistor pour atteindre une puissance si élevée, et les modules sont une combinaison de transistors et d'autres circuits.

Les dispositifs IGBT représentent un type d'alliage des deux principales technologies de transistors : les transistors à effet de champ et les transistors à jonction bipolaire. Ils sont fabriqués avec une grille isolée, identique à celle d'un FET, mais le reste de la structure du transistor ressemble plutôt à celle d'un transistor bipolaire, avec un émetteur et un collecteur pour le principal flux de courant traversant le dispositif. Cela permet d'exploiter les avantages des deux technologies, à savoir une capacité d'ampérage élevée comme un BJT et une impédance d'entrée élevée, de même que d'autres caractéristiques positives des grilles.

Comme ils sont utilisés en tant que dispositifs de commutation, on les retrouve fréquemment dans les amplificateurs utilisant la modulation de largeur d'impulsions et des filtres supprimant les hautes fréquences, par exemple les amplificateurs stéréo à puissance élevée et les systèmes généraux d'alimentation électrique.