La memoria SRAM (Static Random Access Memory) è un tipo di memoria interna a un sistema computer che fornisce un accesso ai dati a bassa latenza e alta velocità. Si tratta di una tecnologia di memoria volatile: i dati quindi vanno persi quando si disattiva l'alimentazione. A causa della dimensione relativamente grande delle celle SRAM, non è economicamente praticabile l'implementazione di memorie di ampia capacità come la SRAM.

 

Tradizionalmente, la memoria SRAM era fornita come discreta all'interno del computer. La memoria DRAM da allora si è sostituita in quel ruolo. Tuttavia, la memoria SRAM continua a ricoprire un'importante funzione, integrata nel silicone insieme a CPU, ASIC e SoC. La cache del processore è quasi esclusivamente implementata come SRAM e i registri firmware e i FIFO della logica digitale utilizzano anch'essi SRAM.

 

Il core di una cella SRAM a singolo bit è un semplice latch costituito da due inverter a coppia incrociata. Sono presenti due transistor, che fungono da gate di passaggio per il controllo degli accessi alla cella dalla bitline. Il loop di feedback relativo al latch indica che i cicli di aggiornamento periodici (come nella memoria DRAM) non sono necessari. Per leggere da una cella SRAM, i gate di passaggio vengono attivati e al latch viene consentito di indirizzare le bitline verso l'alto o il basso. La scrittura sulla cella SRAM è più evoluta: il feedback interno del latch deve essere sovralimentato dal circuito di input, che fornisce i nuovi dati.