PINダイオード

PINは従来のダイオードと比べて追加の層を含むダイオードです。 PNダイオードはp-ドープ領域がn-ドープ領域に直接接続されており、2層デバイスを作り出します。PINダイオードはドープ層の間に本質層を含みます。 本質的とはドーパントを添加しておらず、正孔と電子の値が同等である半導体を指します。 PINダイオードのp領域とn領域は通常よりも多くドープされており、デバイスの本来の面積を通じて高い電荷キャリア容量を提供します。 追加の層があるため、ピンの逆バイアス構成では静電容量が非常に低くなります。

PINダイオードは、典型的なダイオードの動作から逸脱する高周波数でよく使われます。 周波数が低いとき、動作はほぼ同じですが、周波数が上がるとPINダイオードは周波数に応じて変化する抵抗特性を持ち、可変オーマージ抵抗を持つ抵抗を生み出します。これは、電荷が本質半導体内に蓄えられ、周波数があるレベルに達すると完全に放電できないためです。 このため、RFやマイクロ波回路では非常に一般的です。