ADGM1121: 0 Hz/DC bis 18 GHz, DPDT, MEMS-Schalter
Der ADGM1121 verfügt über einen integrierten Treiberchip, der eine hohe Spannung erzeugt, um elektrostatisch einen Schalter zu betätigen, der über eine parallele Schnittstelle und eine serielle Peripherieschnittstelle (SPI) gesteuert werden kann. Alle Schalter sind unabhängig steuerbar.
Das Gerät ist in einem 24-Pin, 5 mm × 4 mm × 1 mm Land Grid Array (LGA)-Gehäuse verpackt. Um einen optimalen Betrieb des ADGM1121 sicherzustellen, lesen Sie den Abschnitt „Kritische Betriebsanforderungen“ im Datenblatt.
Die Durchlasswiderstandsleistung (RON) des ADGM1121 wird von Bauteil-zu-Bauteil-Variation, Kanal-zu-Kanal-Variation, Betätigungszyklen, Einschalt-Stabilisierungszeit, Vorspannung und Temperaturänderungen beeinflusst.
Hauptmerkmale und Vorteile
Frequenzbereich von DC bis 18 GHz
Fähigkeit für hohe Bitraten bis zu 64 Gbps
Niedrige Einfügedämpfung
0,5 dB (typisch) bei 8 GHz
1,0 dB (typisch) bei 16 GHz
Hoher Eingangs-IIP3: 73 dBm (typisch)
Hohe RF-Leistungsaufnahme: 33 dBm (maximal)
Durchlasswiderstand: 1,9 Ω (typisch)
Hohe DC-Stromhandhabung: 200 mA
Hohe Schaltzyklusanzahl: 100 Millionen Zyklen (mindestens)
Schnelle Umschaltzeit: 200 μs TON (typisch)
Integrierter 3,3-V-Treiber für einfache Steuerung mit parallelem Interface und SPI
Platzsparendes integriertes Passivbauteil einschließlich Abkopplungs- und Shunt-Widerständen
Kleines 5 mm × 4 mm × 1 mm, 24-poliges Plastikgehäuse
Temperaturbereich: −40°C bis +85°C
Anwendungen
ATE-Last- und Prüfplatinen
DC mit Hochgeschwindigkeits-Loopback-Tests
Hochgeschwindigkeits-SerDes, PCIe Gen4/5, USB4, PAM4
Relais ersetzungen
Rekonfigurierbare Filter/Abschwächer
Militär- und Mikrowellenfunkgeräte
Mobilfunkinfrastruktur: 5G mm-Welle
Evaluierungsboard
Der ADGM1121 kann entweder mit dem EVAL-ADGM1121 evaluiert werden.
Blockdiagramme und Tabellen
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