Nexperia NSF-Serie Siliziumkarbid-MOSFETs
Elektrofahrzeuge (EVs) gehören heute zu den „Must-have“-Produkten, und Automobilhersteller bringen ständig neue Modelle auf den Markt, um die Nachfrage zu befriedigen. Noch wichtiger als EVs ist jedoch das Netzwerk aus privaten und öffentlichen Ladestationen, auf das sie angewiesen sind. Bei einer Ladestation spielen Zuverlässigkeit, Sicherheit und Geschwindigkeit eine entscheidende Rolle, weshalb die Komponenten in ihrem Schaltungsdesign sorgfältig ausgewählt werden müssen. Dieser Artikel untersucht die Siliziumkarbid-MOSFETs von Nexperia, die durch hervorragende RDSon-Temperaturstabilität, schnelle Schaltgeschwindigkeiten und hohe Kurzschlussfestigkeit überzeugen.
Für sichere, robuste und zuverlässige Leistungsschaltung
Um der wachsenden Nachfrage nach Hochleistungs- und Hochspannungsanwendungen in der Industrie gerecht zu werden, sind die Silicon-Carbid-MOSFETs von Nexperia mit ihrer exzellenten RDSon-Temperaturstabilität, schnellen Schaltgeschwindigkeit und hohen Kurzschlussfestigkeit die bevorzugte Wahl für E-Fahrzeug-Ladeinfrastrukturen, Photovoltaik-Wechselrichter und Motorantriebe.
Gestaltungsvorteile
Sehr geringe Schaltverluste
Schnelle Rückwärts-Erholung
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Temperaturunabhängige Ausschaltverluste
Sehr schnelle und robuste intrinsische Körperdiode
Hauptanwendungen
Ladeinfrastruktur für E-Fahrzeuge
Photovoltaik-Wechselrichter
Schaltnetzteil
Unterbrechungsfreie Stromversorgung
Motorantriebe
Wichtige technische Merkmale
Erstklassige RDSon-Temperaturabhängigkeit
Hervorragende Gate-Ladung und vorteilhaftes Gate-Ladungs-Verhältnis
Niedriger Stromverbrauch von Gate-Treibern
Hohe Toleranz gegen parasitäres Einschalten
Ultra-kleine Toleranz der Schwellenspannung
Robuste Body-Diode mit sehr niedriger Durchlassspannung
Niedrigerer Leckstrom bis zu 1200 V
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