Nexperia NSF-Serie Siliziumkarbid-MOSFETs
Elektrofahrzeuge (EVs) gehören heute zu den „Must-have“-Produkten, und Automobilhersteller bringen ständig neue Modelle auf den Markt, um die Nachfrage zu befriedigen. Noch wichtiger als EVs ist jedoch das Netzwerk aus privaten und öffentlichen Ladestationen, auf das sie angewiesen sind. Bei einer Ladestation spielen Zuverlässigkeit, Sicherheit und Geschwindigkeit eine entscheidende Rolle, weshalb die Komponenten in ihrem Schaltungsdesign sorgfältig ausgewählt werden müssen. Dieser Artikel untersucht die Siliziumkarbid-MOSFETs von Nexperia, die durch hervorragende RDSon-Temperaturstabilität, schnelle Schaltgeschwindigkeiten und hohe Kurzschlussfestigkeit überzeugen.
Für sichere, robuste und zuverlässige Leistungsschaltung
Um der wachsenden Nachfrage nach Hochleistungs- und Hochspannungsanwendungen in der Industrie gerecht zu werden, sind die Silicon-Carbid-MOSFETs von Nexperia mit ihrer exzellenten RDSon-Temperaturstabilität, schnellen Schaltgeschwindigkeit und hohen Kurzschlussfestigkeit die bevorzugte Wahl für E-Fahrzeug-Ladeinfrastrukturen, Photovoltaik-Wechselrichter und Motorantriebe.
Gestaltungsvorteile
- Sehr geringe Schaltverluste
- Schnelle Rückwärts-Erholung
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Temperaturunabhängige Ausschaltverluste
- Sehr schnelle und robuste intrinsische Körperdiode
Hauptanwendungen
- Ladeinfrastruktur für E-Fahrzeuge
- Photovoltaik-Wechselrichter
- Schaltnetzteil
- Unterbrechungsfreie Stromversorgung
- Motorantriebe
Wichtige technische Merkmale
- Erstklassige RDSon-Temperaturabhängigkeit
- Hervorragende Gate-Ladung und vorteilhaftes Gate-Ladungs-Verhältnis
- Niedriger Stromverbrauch von Gate-Treibern
- Hohe Toleranz gegen parasitäres Einschalten
- Ultra-kleine Toleranz der Schwellenspannung
- Robuste Body-Diode mit sehr niedriger Durchlassspannung
- Niedrigerer Leckstrom bis zu 1200 V
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