Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 214W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
| RoHS (Unione Europea) | Compliant |
| ECCN (Stati Uniti) | EAR99 |
| Stato del componente | NRND |
| Automotive | Unknown |
| PPAP | Unknown |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 650 |
| Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±30 |
| Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) | 1.7 |
| Maximum Continuous Collector Current (A) | 30 |
| Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.1 |
| Maximum Power Dissipation (W) | 214 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Packaging | Tube |
| Mounting | Through Hole |
| Package Height | 9.14 |
| Package Width | 4.45 |
| Package Length | 10.03 |
| PCB changed | 3 |
| Tab | Tab |
| Standard Package Name | TO |
| Supplier Package | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| EDA / CAD Models |
|
A datasheet is only available for this product at this time.
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Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 214W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
| RoHS (Unione Europea) | Compliant |
| ECCN (Stati Uniti) | EAR99 |
| Stato del componente | NRND |
| Automotive | Unknown |
| PPAP | Unknown |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 650 |
| Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±30 |
| Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) | 1.7 |
| Maximum Continuous Collector Current (A) | 30 |
| Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.1 |
| Maximum Power Dissipation (W) | 214 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Packaging | Tube |
| Mounting | Through Hole |
| Package Height | 9.14 |
| Package Width | 4.45 |
| Package Length | 10.03 |
| PCB changed | 3 |
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