Considerazioni di progettazione per i driver di gate isolati Skyworks Si828x
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AN1288: Circuiti di miglioramento esterni Si828x
I driver isolati per gate della serie Si828x soddisfano le esigenze di molte applicazioni di alimentazione ad alta tensione. La serie Si828x offre una robusta capacità di pilotaggio del gate e include circuiti di protezione che massimizzano l'efficienza del sistema garantendo un funzionamento affidabile. Per sistemi più grandi che richiedono dispositivi di commutazione molto grandi o molteplici dispositivi commutati in parallelo, e per sistemi (come i FET SiC) che operano a velocità di commutazione elevate, circuiti aggiuntivi composti da componenti esterni a basso costo possono espandere le capacità della serie Si828x. Ad esempio, è possibile aumentare la corrente di uscita effettiva per pilotare moduli FET SiC/IGBT di dimensioni maggiori o adattare la serie Si828x per pilotare e proteggere dispositivi SiC FET con velocità di commutazione più elevate. In questo documento applicativo, è possibile esplorare i miglioramenti dei circuiti e i relativi miglioramenti delle prestazioni, inclusi:
- Un amplificatore di corrente di pilotaggio che aumenterà la corrente di pilotaggio del gate oltre i 20 A.
- Circuiteria per ridurre il tempo di risposta della protezione DESAT sotto 1 µs mantenendo allo stesso tempo una robusta immunità al rumore.
- Un adattamento della soglia DESAT per consentire una soglia inferiore al valore nominale di 7 V.
- Un metodo per regolare il tempo di spegnimento graduale in caso di guasto.
- Un miglioramento esterno del clamp interno di Miller, che migliora la soppressione del picco di Miller che può verificarsi quando il transistor esterno viene spento.
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