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MOSFET al carburo di silicio serie Nexperia NSF

MOSFETs23 apr 2024
Ricarica della batteria di un'auto elettrica presso una stazione.
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Le auto elettriche (EV) sono uno dei prodotti "indispensabili" di oggi, e i produttori automobilistici stanno lanciando costantemente nuovi modelli per soddisfare la domanda. Tuttavia, forse ancora più importanti delle auto elettriche è la rete di caricabatterie residenziali e pubblici da cui dipendono. In un caricabatterie, affidabilità, sicurezza e velocità sono elementi di importanza vitale, quindi i componenti del suo design circuitale devono essere scelti con cura. Questo articolo esplora i MOSFET in Carburo di Silicio di Nexperia, che offrono eccellente stabilità della RDSon alle alte temperature, velocità di commutazione rapide e elevata robustezza contro i cortocircuiti. 

Per un commutazione di potenza sicura, robusta e affidabile

Per rispondere alla crescente domanda di applicazioni industriali ad alta potenza e alta tensione, i MOSFET in Carburo di Silicio di Nexperia, con la loro eccellente stabilità della RDSon in funzione della temperatura, velocità di commutazione rapida e elevata resistenza ai cortocircuiti, rappresentano la scelta ideale per infrastrutture di ricarica per veicoli elettrici, inverter fotovoltaici e azionamenti per motori.

Vantaggi del design

  • Perdite di commutazione molto basse
  • Veloce recupero inverso
  • Velocità di commutazione rapida
  • Perdite di commutazione all'arresto indipendenti dalla temperatura
  • Diodo intrinseco del corpo molto veloce e robusto

Applicazioni chiave

  • Infrastruttura di ricarica per veicoli elettrici
  • Inverter fotovoltaici
  • Alimentatore a modalità commutata
  • Gruppo di continuità
  • Azionamenti motore

Caratteristiche tecniche principali

  • Dipendenza dalla temperatura RDSon di classe superiore
  • Carica di gate superiore e rapporto di carica di gate vantaggioso
  • Basso consumo energetico dei driver di gate
  • Alta tolleranza contro l'accensione parassita
  • Tolleranza ultra-piccola della tensione di soglia
  • Diode corpo robusto con tensione diretta molto bassa
  • Corrente di dispersione ridotta fino a 1200 V

Table displaying specifications for electronic components, including type name, package, maximum voltage, typical resistance, maximum current, and maximum operating temperature.

Technical specifications for NSF 040 120 L3 A0-Q silicon carbide FET, including resistance values, maximum reverse voltage, package types, and qualification schemes.

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Veicoli elettrici (EV)

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