ADGM1121: 0 Hz/DC에서 18 GHz, DPDT, MEMS 스위치
ADGM1121은 고전압을 생성하여 정전기 방식으로 스위치를 작동시키는 통합 드라이버 칩을 특징으로 하며, 이 스위치는 병렬 인터페이스와 직렬 주변 인터페이스(SPI)에 의해 제어할 수 있습니다. 모든 스위치는 독립적으로 제어할 수 있습니다.
해당 장치는 24-리드, 5 mm × 4 mm × 1 mm 랜드 그리드 배열(LGA) 패키지로 포장되어 있습니다. ADGM1121의 최적의 작동을 보장하기 위해 데이터 시트의 중요 작동 요구 사항 섹션을 참조하십시오.
ADGM1121의 온저항(RON) 성능은 부품 간 변동, 채널 간 변동, 작동 주기, 전환 후 안정화 시간, 바이어스 전압, 그리고 온도 변화에 영향을 받습니다.
주요 기능 및 혜택
DC에서 18GHz 주파수 범위
최대 64 Gbps의 높은 비트 전송률 지원
낮은 삽입 손실
8 GHz에서 0.5 dB (일반적인 값)
16 GHz에서 1.0 dB (일반적)
높은 입력 IIP3: 73 dBm (일반값)
높은 RF 전력 처리 능력: 33 dBm (최대)
온저항: 1.9 Ω (일반적인 값)
높은 DC 전류 처리: 200mA
높은 스위치 사이클 수: 최소 1억 회
빠른 전환 시간: 200 μs TON (일반값)
병렬 인터페이스 및 SPI를 통한 간단한 제어를 위한 통합 3.3 V 드라이버
디커플링 및 션트 저항기를 포함하는 공간 절약형 통합 패시브
작은 5mm × 4mm × 1mm, 24 리드 플라스틱 패키지
온도 범위: −40°C에서 +85°C
애플리케이션
ATE 로드 및 프로브 보드
고속 루프백 테스트를 이용한 DC
고속 SerDes, PCIe Gen4/5, USB4, PAM4
릴레이 교체
재구성 가능한 필터/감쇠기
군용 및 마이크로파 라디오
셀룰러 인프라: 5G mm 파
평가 보드
ADGM1121은 EVAL-ADGM1121을 사용하여 평가할 수 있습니다.
블록 다이어그램 및 표
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