ADGM1121：0 Hz/DC至18 GHz，DPDT，MEMS开关
新品18 4月 2024
ADGM1121配备集成驱动芯片，可生成高电压，通过静电驱动开关。该开关可通过并行接口和串行外围接口 (SPI) 控制。所有开关均可独立控制。
该设备封装于一个24引脚、5 mm × 4 mm × 1 mm的贴片栅阵列（LGA）封装中。为了确保ADGM1121的最佳运行，请参阅数据手册中的关键操作要求部分。
ADGM1121的导通电阻（RON）性能受到器件间差异、通道间差异、循环驱动次数、开启后的稳定时间、偏置电压以及温度变化的影响。
主要特点与优势
直流至18 GHz频率范围
高比特率支持最高可达64 Gbps
低插入损耗
0.5 dB（典型值）在 8 GHz
1.0 dB（典型值）在16 GHz
高输入IIP3：73 dBm（典型值）
高射频功率处理能力：33 dBm（最大值）
导通电阻：1.9 Ω（典型值）
高直流电流处理能力：200 mA
高开关循环次数：1亿次（最低）
快速切换时间：200 μs TON（典型值）
集成 3.3 V 驱动器，通过并行接口和 SPI 实现简单控制
节省空间的集成无源器件，包括去耦电容和分流电阻
小型 5 毫米 × 4 毫米 × 1 毫米，24 引脚塑料封装
温度范围：−40°C 至 +85°C
应用
ATE负载板和探针板
直流高速度回环测试
高速SerDes，PCIe Gen4/5，USB4，PAM4
继电器更换
可重构滤波器/衰减器
军用和微波无线电
蜂窝基础设施：5G毫米波
评估板
ADGM1121 可以通过 EVAL-ADGM1121 进行评估。
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