Trans IGBT Module N-CH 1200V 10A 23-Pin Tray
| RoHS (Unión Europea) | Compliant with Exemption |
| ECCN (Estados Unidos) | EAR99 |
| Estatus de pieza | Active |
| Código HTS | 8541.29.00.95 |
| SVHC | Yes |
| Índice de SEP por encima del límite autorizado | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Channel Type | N |
| Configuration | Hex |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 1200 |
| Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) | 1.6 |
| Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Continuous Collector Current (A) | 10 |
| Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.1 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Packaging | Tray |
| Mounting | Screw |
| Package Height | 12 |
| Package Width | 33.8 |
| Package Length | 62.8 |
| PCB changed | 23 |
| Pin Count | 23 |
| EDA / CAD Models |
FP10R12W1T7B11BOMA1 Infineon Technologies AG
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Trans IGBT Module N-CH 1200V 10A 23-Pin Tray
| RoHS (Unión Europea) | Compliant with Exemption |
| ECCN (Estados Unidos) | EAR99 |
| Estatus de pieza | Active |
| Código HTS | 8541.29.00.95 |
| SVHC | Yes |
| Índice de SEP por encima del límite autorizado | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Channel Type | N |
| Configuration | Hex |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 1200 |
| Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) | 1.6 |
| Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Continuous Collector Current (A) | 10 |
| Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.1 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Packaging | Tray |
| Mounting | Screw |
| Package Height | 12 |
| Package Width | 33.8 |
| Package Length | 62.8 |
| PCB changed | 23 |
| Pin Count | 23 |
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