| RoHS (Union Européenne) | Compliant |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Active |
| Code HTS | EA |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Type de canal | N |
| Configuration | Single |
| Tension minimale de source barrière (V) | -40 |
| Tension maximale de drainage de barrière (V) | -40 |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 1800 |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -55 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 200 |
| Diamètre | 5.84(Max) |
| Installation | Through Hole |
| Hauteur du paquet | 5.33(Max) |
| Carte électronique changée | 3 |
| Nom de lemballage standard | TO |
| Conditionnement du fournisseur | TO-206AA |
| Décompte de broches | 3 |
| Forme de sonde | Through Hole |
The simplest type of field-effect transistor is this 2N4858A-E3 JFET from Vishay. Its maximum power dissipation is 1800 mW. It is made in a single configuration. This junction field effect transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 200 °C.
