| RoHS (Union Européenne) | Compliant |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Active |
| Code HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | Unknown |
| PPAP | Unknown |
| Installation | Surface Mount |
| Hauteur du paquet | 2.29 mm |
| Largeur du paquet | 6.1 mm |
| Longueur du paquet | 6.6 mm |
| Carte électronique changée | 2 |
| Onglet | Tab |
| Nom de lemballage standard | TO-252 |
| Conditionnement du fournisseur | DPAK |
| Décompte de broches | 3 |
Make an effective common source amplifier using this AOD3N60 power MOSFET from Alpha & Omega Semiconductor. Its maximum power dissipation is 56800 mW. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -50 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
