RoHS (Union Européenne) | Compliant |
ECCN (États-Unis) | EAR99 |
Statut de pièce | Active |
Code HTS | 8473.30.11.40 |
Automotive | No |
PPAP | No |
Catégorie principale | DRAM Module |
Sous-catégorie | DDR SDRAM |
Densité totale | 512Mbyte |
Organisation | 64Mx64 |
Type de module | 200SODIMM |
Nombre de puces par module | 8 |
Densité de puce (bit) | 512M |
Largeur du bus de données (bit) | 64 |
Temps maximal d'accès (ns) | 0.65 |
Fréquence d'horloge maximale (MHz) | 200 |
Configuration de puce | 32Mx16 |
Type de paquet de puce | TSOP-II |
Tension d'alimentation minimale en fonctionnement (V) | 2.3 |
Tension d’alimentation type en fonctionnement (V) | 2.5 |
Tension d'alimentation maximale en fonctionnement (V) | 2.7 |
Courant de fonctionnement maximal (mA) | 860 |
Température de fonctionnement minimale (°C) | 0 |
Température de fonctionnement maximale (°C) | 70 |
Côtés du module | Double |
Support ECC | No |
Nombre de rangs | Dual |
Latence CAS | 3 |
PLL | No |
Prise en charge SPD EEPROM | Yes |
Autorafraichissement | Yes |
Cycles de rafraîchissement | 8K |
Installation | Socket |
Hauteur du paquet | 31.75 |
Largeur du paquet | 3.81(Max) |
Longueur du paquet | 67.56 |
Carte électronique changée | 200 |
Nom de lemballage standard | DIMM |
Conditionnement du fournisseur | USODIMM |
Décompte de broches | 200 |