| RoHS (Union Européenne) | Compliant |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Obsolete |
| Code HTS | 8541.10.00.40 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Type | Schottky Diode |
| Matériau | SiC |
| Configuration | Single |
| Tension inverse CC maximale (V) | 1200 |
| Tension inverse répétitive de crête (V) | 1200 |
| Courant avant continu maximal (A) | 8 |
| Courant de surcharge de crête non répétitif (A) | 64 |
| Tension directe de crête (V) | 1.8 |
| Courant inverse de crête (uA) | 250 |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -55 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 175 |
| Hauteur du paquet | 0.38 mm |
| Largeur du paquet | 2 mm |
| Longueur du paquet | 2 mm |
| Carte électronique changée | 2 |
| Nom de lemballage standard | Die |
| Conditionnement du fournisseur | Die |
| Décompte de broches | 2 |
