| RoHS (Union Européenne) | Compliant |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | NRND |
| Code HTS | 8542.32.00.24 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Type | Mobile-DDR SDRAM |
| Densité (bit) | 256M |
| Organisation | 8Mx32 |
| Nombre de banques internes | 4 |
| Nombre de mots par banque | 2M |
| Nombre de bits par mot (bit) | 32 |
| Largeur du bus de données (bit) | 32 |
| Fréquence d'horloge maximale (MHz) | 200 |
| Temps maximal d'accès (ns) | 5|8 |
| Largeur de Bus d'adresse (bit) | 14 |
| Type d'interface | LVCMOS |
| Tension d'alimentation minimale en fonctionnement (V) | 1.7 |
| Tension d’alimentation type en fonctionnement (V) | 1.8 |
| Tension d'alimentation maximale en fonctionnement (V) | 1.95 |
| Courant de fonctionnement maximal (mA) | 140 |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -40 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 85 |
| Échelle de température du fournisseur | Industrial |
| Nombre de lignes E/S (bit) | 32 |
| Installation | Surface Mount |
| Hauteur du paquet | 0.8(Max) |
| Largeur du paquet | 8 |
| Longueur du paquet | 13 |
| Carte électronique changée | 90 |
| Nom de lemballage standard | BGA |
| Conditionnement du fournisseur | TFBGA |
| Décompte de broches | 90 |
| Forme de sonde | Ball |
