RoHS (Union Européenne) | Not Compliant |
ECCN (États-Unis) | EAR99 |
Statut de pièce | Active |
Code HTS | 9030.90.84.00 |
Automotive | No |
PPAP | No |
Configuration | Single |
Type | MOSFET |
Mode canal | Enhancement |
Type de canal | N |
Nombre d'éléments par puce | 1 |
Mode de fonctionnement | CW |
Technologie de traitement | LDMOS |
Tension drain-source maximale (V) | 133 |
Tension minimale de source barrière (V) | 10 |
Tension seuil de barrière maximale (V) | 2.7 |
VSWR maximal | 65 |
Courant de fuite maximal de source de barrière (nA) | 1000 |
IDSS maximal (uA) | 10 |
Capacitance d'entrée type @ Vds (pF) | 149@50V |
Capacitance de transfert inverse type @ Vds (pF) | 0.96@50V |
Capacitance type de sortie @ Vds (pF) | 43.4@50V |
Transconductance avant typique (S) | 7.1 |
Dissipation de puissance maximale (mW) | 182000 |
Puissance de sortie (W) | 115(Typ) |
Gain de puissance type (dB) | 21.1 |
Fréquence maximale (MHz) | 250 |
Fréquence minimale (MHz) | 1.8 |
Efficacité de drainage type (%) | 76.7 |
Température de fonctionnement minimale (°C) | -40 |
Température de fonctionnement maximale (°C) | 150 |
Installation | Through Hole |
Hauteur du paquet | 8.39(Min) |
Largeur du paquet | 4.83(Max) |
Longueur du paquet | 10.47(Max) |
Carte électronique changée | 3 |
Onglet | Tab |
Nom de lemballage standard | TO |
Conditionnement du fournisseur | TO-220 |
Décompte de broches | 3 |