| RoHS (Union Européenne) | Compliant |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | LTB |
| Code HTS | 8541.21.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Catégorie | Integrated Power MOSFET with PNP |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -55 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 150 |
| Emballage | Tape and Reel |
| Installation | Surface Mount |
| Hauteur du paquet | 0.87 |
| Largeur du paquet | 3.3 |
| Longueur du paquet | 3.3 |
| Carte électronique changée | 8 |
| Nom de lemballage standard | DFN |
| Conditionnement du fournisseur | DFN EP |
| Décompte de broches | 8 |
| Forme de sonde | No Lead |
Check out this NUS5530MNR2G discrete device from ON Semiconductor. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This part has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
