铌电容器
铌电容器的电容值包括从 1 到 1500 微法拉。随着时间推移，铌电容器具有稳定的电容、泄漏电流和等效串联电阻值，因此在很长一段时间内，用于电路中的电容器的功能性和可靠性都保持一致。铌电容器用于电源、直流电/直流电转换器应用、气囊控制、汽车座椅调整模块和汽车音响设备。铌电容器是极化电容器，这意味着它在于电路连接时有正极或阳极端以及负极或阴极端。铌电容器包括一层五氧化二铌，围绕在用作电介质的一氧化铌颗粒周围。铌电容器采用表面贴装元件 (SMD) 芯片电容器的形式。由于它区分两极，因此只能用于直流电源。反向直流电源可能会损坏电介质，并因此损坏电容器。电路设计需遵守一些特定规则，以避免此类损坏。可在金属铌粉中掺杂氮化物形成钝化氮化铌，用以制作铌电容器，或可使用氧化铌作为阳极材料制成。氧化铌是一种坚硬的陶瓷材料，具有高金属导电性。氧化铌粉可精炼处理，以生产电容器。
型号
价格
库存
供应商
Product Category
Capacitance Value
Tolerance
Voltage
Equivalent Series Resistance - (Ohm)
Equivalent Series Resistance Type
Ripple Current - (A)
Leakage Current - (uA)
Maximum Dissipation Factor - (%)
Construction
Size - (mm)
Package/Case
Polarity
Packaging
Auto motive
P PAP
ECCN Code
SVHC
SVHC Exceeds Threshold
铌电容器
10uF
20%
8VDC
2.2
Low
202
1.6
10
Flat
3.2 X 1.6 X 1.6
3216-18
Polar
Tape and Reel
Yes
Unknown
EAR99
No
No