Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 417W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
| RoHS (Unión Europea) | Compliant |
| ECCN (Estados Unidos) | EAR99 |
| Estatus de pieza | Active |
| Código HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Technology | Field Stop II|Trench |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 650 |
| Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 |
| Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) | 1.8 |
| Maximum Continuous Collector Current (A) | 100 |
| Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.2 |
| Maximum Power Dissipation (W) | 417 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Packaging | Tube |
| Mounting | Through Hole |
| Package Height | 21.34(Max) |
| Package Width | 5.3(Max) |
| Package Length | 16.25(Max) |
| PCB changed | 3 |
| Tab | Tab |
| Standard Package Name | TO |
| Supplier Package | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Lead Shape | Through Hole |
| EDA / CAD Models |
|
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Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 417W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
| RoHS (Unión Europea) | Compliant |
| ECCN (Estados Unidos) | EAR99 |
| Estatus de pieza | Active |
| Código HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Technology | Field Stop II|Trench |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 650 |
| Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 |
| Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) | 1.8 |
| Maximum Continuous Collector Current (A) | 100 |
| Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.2 |
| Maximum Power Dissipation (W) | 417 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Packaging | Tube |
| Mounting | Through Hole |
| Package Height | 21.34(Max) |
| Package Width | 5.3(Max) |
| Package Length | 16.25(Max) |
| PCB changed | 3 |
| Tab | Tab |
| Standard Package Name | TO |
| Supplier Package | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Lead Shape | Through Hole |
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