Impulsa tu diseño con las familias OptiMOS™ 6 de Infineon

Infineon20 ago 2024

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La tecnología líder de Infineon, excelente rendimiento y mayor eficiencia energética: ¡para un futuro sostenible!

```html La tecnología OptiMOS™ de Infineon ha evolucionado a lo largo de los años y ha alcanzado ahora su sexta generación con la serie de MOSFET de potencia OptiMOS™ 6. Esta tecnología avanzada ha generado mejoras significativas en las pérdidas de conmutación y conducción, así como en las capacidades de corriente. Estas mejoras llevan a una reducción de las pérdidas del sistema, una mayor densidad de potencia, temperaturas mejoradas en la placa y una mayor fiabilidad general del sistema. Como resultado, los MOSFET de potencia OptiMOS™ 6 son una elección ideal para diversas aplicaciones, como telecomunicaciones, energía solar, fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) y energías renovables. Gracias a notables mejoras en la resistencia de conducción R_DS(on) y el factor de calidad, también son adecuados para aplicaciones alimentadas por baterías, incluidas herramientas eléctricas, vehículos de baja velocidad, drones, robots y aplicaciones de gestión de baterías. Para satisfacer los requisitos individuales de diseño, la serie ofrece múltiples opciones de empaquetado, incluyendo PQFN 3.3x3.3, SuperSO8, D²PAK de 3 pines, D²PAK de 7 pines, TO-Leadless, sTOLL, TOLT, TOLG y TO-220. ```

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Serie MOSFET	Características clave	Aplicaciones clave
OptiMOS™ 6 40 V	Q_G ultra bajo Bajo R_DS(on) Pads expuestos Disponible en lógica y con unidad de puerta normal Conforme a RoHS	Aplicaciones alimentadas por baterías Herramientas alimentadas por baterías Gestión de baterías Atracciones de baja tensión Herramientas eléctricas
OptiMOS™ 6 100 V	En comparación con la tecnología OptiMOS™ 5: Hasta ~18% menos R_DS(on) 30% mejora en FOM_g y hasta ~43% mejor en FOM_gd Carga de recuperación inversa (Q_rr) más baja y suave Calificación de temperatura de unión de 175°C 130% de mejora en SOA Chapado libre de Pb y conforme a RoHS	Servidor Telecomunicaciones Solar Sistemas de gestión de baterías
OptiMOS™ 6 120 V	El R_DS(on) más bajo de la industria en 120 V Mejor equilibrio entre pérdidas de conmutación y conducción para diversas aplicaciones Menor R_DS(on) y FOMs donde no se necesita 150 V Amplia oferta de empaques: SMD para PCBs FR4 e IMS, enfriamiento por la parte superior y THD Calificación industrial y T_{j_max} = 175°C para un manejo de potencia y resistencia superiores	Herramientas eléctricas y de jardinería Adaptadores y cargadores rápidos Solar Telecomunicaciones Vehículos eléctricos ligeros
OptiMOS™ 6 135 V	Solución rentable optimizada para controladores de motor En comparación con la tecnología OptiMOS™ 5: Capacidad de paralelización mejorada con hasta ~50% menor distribución de V_GS(th) Alto rendimiento con hasta ~46% menor R_DS(on) Hasta un ~70% menor y más suave carga de recuperación inversa (Q_rr)	Carretillas elevadoras eScooters Herramientas eléctricas y de jardinería Sistemas UPS
OptiMOS™ 6 200 V	En comparación con la tecnología previa: 42% menos R_DS(on) 89% menos Q_rr(typ) Diodo más suave en más de 3 veces Mejor linealidad de capacitancia Mejora en SOA Chapado libre de Pb y conforme a RoHS	E-scooters Micro-EVs E-carretillas elevadoras Herramientas de jardinería Accionamientos servo Servidor Telecomunicaciones Solar; ESS SMPS industriales Audio

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Lee la nueva nota de aplicación: La nueva familia de MOSFET OptiMOS™ 6 200 V - La última tecnología de MOSFET con trinchera de Infineon estableciendo el nuevo estándar de la industria

La última tecnología MOSFET de trinchera de Infineon, que aprovecha un diseño de celda revolucionario, es el nuevo OptiMOS™ 6 200 V. Reúne los beneficios de una resistencia de estado ON excepcionalmente baja R_DS(on), una baja recuperación inversa del diodo y un rendimiento de conmutación superior. Estas características hacen que el OptiMOS™ 6 200 V sea la mejor opción para aplicaciones de baja frecuencia de conmutación, como los accionamientos de motores. En primer lugar, se introduce brevemente la tecnología, destacando sus beneficios técnicos. A continuación, se realiza una extensa evaluación experimental que compara el OptiMOS™ 6 200 V con la generación anterior de MOSFETs OptiMOS™ 3 200 V.

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