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MOSFETs de carburo de silicio de la serie NSF de Nexperia

MOSFETs23 abr 2024
Energía de carga de batería de coche eléctrico en estación.
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Los vehículos eléctricos (EVs) son uno de los productos "imprescindibles" hoy en día, y los fabricantes de automóviles están lanzando nuevos modelos constantemente para satisfacer la demanda. No obstante, quizás más importante que los EVs sea la red de cargadores residenciales y públicos de la que dependen. En un cargador, la confiabilidad, seguridad y velocidad son aspectos vitales, por lo que los componentes en el diseño de su circuito deben seleccionarse cuidadosamente. Este artículo explora los MOSFETs de carburo de silicio de Nexperia, que cuentan con excelente estabilidad de temperatura RDSon, velocidades de conmutación rápidas y una alta resistencia a cortocircuitos. 

Para un cambio de energía seguro, robusto y confiable

Atendiendo la creciente demanda de aplicaciones industriales de alta potencia y alto voltaje, los MOSFETs de Carburo de Silicio de Nexperia, con su excelente estabilidad de RDSon frente a la temperatura, alta velocidad de conmutación y gran robustez frente a cortocircuitos, se convierten en la opción preferida para infraestructuras de carga de vehículos eléctricos, inversores fotovoltaicos y accionamientos de motores.

Beneficios del diseño

  • Pérdidas de conmutación muy bajas
  • Recuperación inversa rápida
  • Velocidad de conmutación rápida
  • Pérdidas de conmutación de apagado independientes de la temperatura
  • Diodo intrínseco muy rápido y robusto

Aplicaciones clave

  • Infraestructura de carga para vehículos eléctricos
  • Inversores fotovoltaicos
  • Fuente de alimentación conmutada
  • Sistema de alimentación ininterrumpida
  • Accionamientos de motor

Características técnicas clave

  • Dependencia de temperatura de RDSon de primera clase
  • Carga de compuerta superior y relación beneficiosa de carga de compuerta
  • Bajo consumo de energía de los controladores de compuertas
  • Alta tolerancia contra la activación parasitaria
  • Tolerancia de voltaje de umbral ultra pequeña
  • Diodo de cuerpo robusto con voltaje directo muy bajo
  • Corriente de fuga reducida hasta 1200 V

Table displaying specifications for electronic components, including type name, package, maximum voltage, typical resistance, maximum current, and maximum operating temperature.

Technical specifications for NSF 040 120 L3 A0-Q silicon carbide FET, including resistance values, maximum reverse voltage, package types, and qualification schemes.

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Carga de vehículos eléctricos
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Vehículos eléctricos (VE)

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