| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Active |
| Code HTS | 8541.29.00.75 |
| SVHC | Yes |
| Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Matériau | Si |
| Type de canal | N |
| Configuration | Single |
| Tension minimale de source barrière (V) | 40 |
| Tension maximale de drainage de barrière (V) | 40 |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 1800 |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -65 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 175 |
| Diamètre | 5.84(Max) |
| Installation | Through Hole |
| Hauteur du paquet | 5.33(Max) |
| Carte électronique changée | 3 |
| Nom de lemballage standard | TO |
| Conditionnement du fournisseur | TO-18 |
| Décompte de broches | 3 |
Thanks to Central Semiconductor, you can ensure that there is little to no input voltage drop in your circuit with the 2N4391 PBFREE JFET transistor. Its maximum power dissipation is 1800 mW. This junction field effect transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 175 °C. It is made in a single configuration.
