| RoHS (Union Européenne) | Compliant |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Active |
| Code HTS | 8541.21.00.75 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Installation | Surface Mount |
| Hauteur du paquet | 1.25(Max) |
| Largeur du paquet | 1.65(Max) |
| Longueur du paquet | 3.05(Max) |
| Carte électronique changée | 3 |
| Nom de lemballage standard | SOT |
| Conditionnement du fournisseur | SC-59 |
| Décompte de broches | 3 |
| Forme de sonde | Gull-wing |
Compared to other transistors, the 55GN01CA-TB-E RF bi-polar junction transistor, developed by ON Semiconductor, can properly function in the event of high radio frequency power situations. This RF transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
