| RoHS (Union Européenne) | Not Compliant |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Unconfirmed |
| Code HTS | EA |
| Automotive | Unknown |
| PPAP | Unknown |
| Type | Module |
| Type de phototransistor | Phototransistor |
| Type de forme d'objectif | Domed |
| Matériau | Silicon |
| Nombre de canaux par puce | 1 |
| Polarité | NPN |
| Degrés d'angle à demi-intensité (°) | 24 |
| Orientation de visualisation | Top View |
| Temps de montée maximal (ns) | 20000 |
| Temps de descente maximal (ns) | 20000 |
| Courant de lumière maximal (uA) | 12000 |
| Courant d'obscurité maximal (nA) | 25 |
| Tension maximale de collecteur émetteur (V) | 7 |
| Tension collecteur-émetteur maximale (V) | 50 |
| Tension de saturation maximale de collecteur-émetteur (V) | 0.3 |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 50 |
| Technologie de fabrication | NPN Transistor |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -55 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 125 |
| Diamètre | 1.55(Max) |
| Installation | Through Hole |
| Hauteur du paquet | 2.92(Max) |
| Carte électronique changée | 2 |
| Décompte de broches | 2 |
