| RoHS (Union Européenne) | Supplier Unconfirmed |
| ECCN (États-Unis) | 3A001.a.2.c |
| Statut de pièce | Unconfirmed |
| Code HTS | 8541.49.70.80 |
| Automotive | Unknown |
| PPAP | Unknown |
| Type | Module |
| Type de phototransistor | Phototransistor |
| Type de forme d'objectif | Domed |
| Matériau | Silicon |
| Nombre de canaux par puce | 1 |
| Polarité | NPN |
| Degrés d'angle à demi-intensité (°) | 10 |
| Orientation de visualisation | Top View |
| Crête de longueur d'onde (nm) | 800 |
| Temps de montée maximal (ns) | 3000(Typ) |
| Courant de lumière maximal (uA) | 16000 |
| Courant collecteur maximal (mA) | 50 |
| Courant d'obscurité maximal (nA) | 100 |
| Tension maximale de collecteur émetteur (V) | 7(Min) |
| Tension collecteur-émetteur maximale (V) | 30(Min) |
| Tension de saturation maximale de collecteur-émetteur (V) | 0.2 |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 250 |
| Technologie de fabrication | NPN |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -55 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 125 |
| Diamètre | 5.84(Max) |
| Installation | Through Hole |
| Hauteur du paquet | 6.1(Max) |
| Carte électronique changée | 3 |
| Nom de lemballage standard | TO |
| Conditionnement du fournisseur | TO-46 |
| Décompte de broches | 3 |
