RoHS (Union Européenne) | Compliant |
ECCN (États-Unis) | EAR99 |
Statut de pièce | Active |
Code HTS | 8541.49.70.80 |
Automotive | No |
PPAP | No |
Type | Chip |
Type de phototransistor | Phototransistor |
Type de forme d'objectif | Domed |
Couleur d'objectif | Water Clear |
Matériau | Silicon |
Nombre de canaux par puce | 1 |
Polarité | NPN |
Degrés d'angle à demi-intensité (°) | 24 |
Orientation de visualisation | Top View |
Crête de longueur d'onde (nm) | 825 |
Courant de lumière maximal (uA) | 1000(Typ) |
Courant collecteur maximal (mA) | 50 |
Courant d'obscurité maximal (nA) | 200 |
Tension maximale de collecteur émetteur (V) | 5 |
Tension collecteur-émetteur maximale (V) | 32 |
Tension de saturation maximale de collecteur-émetteur (V) | 0.3 |
Dissipation de puissance maximale (mW) | 100 |
Technologie de fabrication | NPN Transistor |
Température de fonctionnement maximale (°C) | 100 |
Emballage | Bulk |
Installation | Through Hole |
Hauteur du paquet | 2.9 mm |
Largeur du paquet | 2.4 mm |
Longueur du paquet | 3.3 mm |
Carte électronique changée | 2 |
Conditionnement du fournisseur | T-3/4 |
Décompte de broches | 2 |