| RoHS (Union Européenne) | Compliant |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Active |
| Code HTS | 8542.32.00.36 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Type | DDR3 SDRAM |
| Densité (bit) | 4G |
| Organisation | 256Mx16 |
| Nombre de banques internes | 8 |
| Nombre de mots par banque | 32M |
| Nombre de bits par mot (bit) | 16 |
| Largeur du bus de données (bit) | 16 |
| Fréquence d'horloge maximale (MHz) | 2133 |
| Temps maximal d'accès (ns) | 20 |
| Largeur de Bus d'adresse (bit) | 18 |
| Technologie de traitement | CMOS |
| Tension d'alimentation minimale en fonctionnement (V) | 1.425 |
| Tension d’alimentation type en fonctionnement (V) | 1.5 |
| Tension d'alimentation maximale en fonctionnement (V) | 1.575 |
| Courant de fonctionnement maximal (mA) | 344 |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | 0 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 95 |
| Échelle de température du fournisseur | Commercial |
| Nombre de lignes E/S (bit) | 16 |
| Installation | Surface Mount |
| Hauteur du paquet | 1(Max) |
| Largeur du paquet | 9 |
| Longueur du paquet | 13 |
| Carte électronique changée | 96 |
| Nom de lemballage standard | BGA |
| Conditionnement du fournisseur | TW-BGA |
| Décompte de broches | 96 |
| Forme de sonde | Ball |
