RoHS (Union Européenne) | Compliant |
ECCN (États-Unis) | EAR99 |
Statut de pièce | Active |
Code HTS | 8541.29.00.95 |
Automotive | No |
PPAP | No |
Type | IR Chip |
Type de phototransistor | Phototransistor |
Type de forme d'objectif | Domed |
Couleur d'objectif | Blue |
Matériau | Silicon |
Nombre de canaux par puce | 1 |
Polarité | NPN |
Orientation de visualisation | Top View |
Crête de longueur d'onde (nm) | 890 |
Courant de lumière maximal (uA) | 2500(Min) |
Courant collecteur maximal (mA) | 50 |
Courant d'obscurité maximal (nA) | 100 |
Tension maximale de collecteur émetteur (V) | 5 |
Tension collecteur-émetteur maximale (V) | 30 |
Tension de saturation maximale de collecteur-émetteur (V) | 0.4 |
Dissipation de puissance maximale (mW) | 250 |
Technologie de fabrication | NPN Transistor |
Température de fonctionnement minimale (°C) | -40 |
Température de fonctionnement maximale (°C) | 100 |
Emballage | Bag |
Diamètre | 5.72(Max) |
Installation | Through Hole |
Hauteur du paquet | 7.62(Max) |
Carte électronique changée | 2 |
Nom de lemballage standard | TO |
Conditionnement du fournisseur | TO-18 |
Décompte de broches | 2 |
Forme de sonde | Through Hole |