| RoHS (Union Européenne) | Compliant |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Active |
| Code HTS | 8541.49.70.80 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Type | IR Chip |
| Type de phototransistor | Phototransistor |
| Type de forme d'objectif | Domed |
| Matériau | Silicon |
| Nombre de canaux par puce | 1 |
| Polarité | NPN |
| Degrés d'angle à demi-intensité (°) | 60 |
| Orientation de visualisation | Side View |
| Crête de longueur d'onde (nm) | 920 |
| Filtre de coupure | Visible Cut-off |
| Courant de lumière maximal (uA) | 2500(Typ) |
| Courant collecteur maximal (mA) | 50 |
| Courant d'obscurité maximal (nA) | 100 |
| Tension maximale de collecteur émetteur (V) | 5 |
| Tension collecteur-émetteur maximale (V) | 70 |
| Tension de saturation maximale de collecteur-émetteur (V) | 0.3 |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 100 |
| Technologie de fabrication | NPN Transistor |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -40 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 85 |
| Installation | Through Hole |
| Hauteur du paquet | 3.1 |
| Largeur du paquet | 2.2 |
| Longueur du paquet | 3.6 |
| Carte électronique changée | 2 |
| Nom de lemballage standard | Side View |
| Conditionnement du fournisseur | Side View Micro |
| Décompte de broches | 2 |
