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MHT1803A - NXP Semiconductors
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NXP Semiconductors
MHT1803A
RF FET
Trans RF MOSFET 50V 3-Pin(3+Tab) SIL Tube
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Information
欧州RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
NRND
HTS
8541.29.00.95
SVHC
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Mode of Operation
CW
Process Technology
LDMOS
Maximum Drain Source Voltage (V)
50
Output Power (W)
330(Typ)
Typical Power Gain (dB)
28.2
Maximum Frequency (MHz)
50
Minimum Frequency (MHz)
1.8
Typical Drain Efficiency (%)
79
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tube
Mounting
Through Hole
Package Height
21.11(Max)
Package Width
5.21(Max)
Package Length
16.13(Max)
PCB changed
3
Tab
Tab
Supplier Package
SIL
Pin Count
3
EDA / CAD Models
在庫合計: 143 parts
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