제품 기술 사양

Use this versatile PNP 2SA1705S-AN GP BJT from ON Semiconductor to design various electronic circuits. This bipolar junction transistor's maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 900 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

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