Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 750W 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
| 유럽 연합 RoHS 명령어 | Compliant |
| 미국수출통제분류ECCN 인코딩 | EAR99 |
| 친환경 무연 | Active |
| 미국 세관 상품 코드 | 8541.21.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Technology | Field Stop|Trench |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 1200 |
| Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 |
| Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) | 2.1 |
| Maximum Continuous Collector Current (A) | 150 |
| Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.25 |
| Maximum Power Dissipation (W) | 750 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Packaging | Tube |
| Supplier Temperature Grade | Industrial |
| EDA / CAD Models |
문의 및 지원
프로그램 및 파트너
주요 제품
제품 카테고리
제조업체
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 750W 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
| 유럽 연합 RoHS 명령어 | Compliant |
| 미국수출통제분류ECCN 인코딩 | EAR99 |
| 친환경 무연 | Active |
| 미국 세관 상품 코드 | 8541.21.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Technology | Field Stop|Trench |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 1200 |
| Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 |
| Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) | 2.1 |
| Maximum Continuous Collector Current (A) | 150 |
| Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.25 |
| Maximum Power Dissipation (W) | 750 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Packaging | Tube |
| Supplier Temperature Grade | Industrial |
| EDA / CAD Models |
제조업체
