Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 750W 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 美国出口管制分类ECCN编码 | EAR99 |
| 环保无铅 | Active |
| 美国海关商品代码 | 8541.21.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Technology | Field Stop|Trench |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 1200 |
| Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 |
| Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) | 2.1 |
| Maximum Continuous Collector Current (A) | 150 |
| Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.25 |
| Maximum Power Dissipation (W) | 750 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Packaging | Tube |
| Supplier Temperature Grade | Industrial |
| EDA / CAD Models |
联系与支持
制造商
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Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 750W 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 美国出口管制分类ECCN编码 | EAR99 |
| 环保无铅 | Active |
| 美国海关商品代码 | 8541.21.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Technology | Field Stop|Trench |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 1200 |
| Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 |
| Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) | 2.1 |
| Maximum Continuous Collector Current (A) | 150 |
| Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.25 |
| Maximum Power Dissipation (W) | 750 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Packaging | Tube |
| Supplier Temperature Grade | Industrial |
| EDA / CAD Models |
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