ADR1001: 烤箱控制、埋嵌式齐纳二极管、精密电压基准

力量02 7月 2024

ADR1001 的片上加热器结合模拟器件的埋藏齐纳技术，使得 ADR1001 实现了亚 ppm 的温度系数性能和个位 ppm 的长期漂移性能。除了在各方面提供同类最佳的精度表现外，ADR1001 还集成了易于使用的功能，从而降低成本并减少设计投入。这些功能包括可通过引脚编程的内部恒温器、通过电阻编程的加热电流限制、开路集电极电源正常指示引脚、气密表面贴装封装，以及额外的匹配电阻对。默认情况下，当 TSET 引脚未连接外部电阻时，温度设定点为 70°C，内部加热电流限制为 100 mA，当 HTR_ILIM 短接至 HTR_GND 时。

集成的薄膜电阻和片上缓冲器可用于提供与现代高精度转换器兼容的标准输出电压参考值。ADR1001的分压网络和输出缓冲器组合经过校准，初始精度达到±0.25%以内。此外，芯片上还包含一对匹配电阻，使客户能够轻松生成负电压参考或增益为2的输出，且对输出精度或漂移的影响最小。

ADR1001 封装在一个气密的陶瓷 20 引线无引脚芯片载体 (LCC) 中。表面贴装的陶瓷封装使客户可以省去通孔元件焊接步骤，同时仍然保留经典通孔金属封装的气密密封特性。