| RoHS (Union Européenne) | Compliant |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | LTB |
| Code HTS | 8541.21.00.75 |
| SVHC | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Installation | Surface Mount |
| Hauteur du paquet | 0.33(Max) |
| Largeur du paquet | 1 |
| Longueur du paquet | 0.6 |
| Carte électronique changée | 3 |
| Nom de lemballage standard | DFN |
| Conditionnement du fournisseur | DFN_C |
| Décompte de broches | 3 |
| Forme de sonde | No Lead |
Compared to other transistors, the BFU730LXZ RF bi-polar junction transistor, developed by NXP Semiconductors, can properly function in the event of high radio frequency power situations. This RF transistor has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C.
