| RoHS (Union Européenne) | Compliant |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Active |
| Code HTS | 8541.49.70.80 |
| Automotive | Unknown |
| PPAP | Unknown |
| Type de phototransistor | Phototransistor |
| Type de forme d'objectif | Domed |
| Nombre de canaux par puce | 1 |
| Polarité | NPN |
| Orientation de visualisation | Top View |
| Temps de montée maximal (ns) | 20000 |
| Temps de descente maximal (ns) | 20000 |
| Courant collecteur maximal (mA) | 50 |
| Courant d'obscurité maximal (nA) | 10 |
| Tension collecteur-émetteur maximale (V) | 40 |
| Tension de saturation maximale de collecteur-émetteur (V) | 0.3 |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 300 |
| Technologie de fabrication | NPN Transistor |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -55 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 150 |
| Emballage | Waffle |
| Installation | Surface Mount |
| Hauteur du paquet | 2.03(Max) |
| Largeur du paquet | 6.35(Max) |
| Longueur du paquet | 4.44(Max) |
| Carte électronique changée | 6 |
| Nom de lemballage standard | SMD |
| Conditionnement du fournisseur | CSMD |
| Décompte de broches | 6 |
