| RoHS (Union Européenne) | Compliant |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Active |
| Code HTS | 8541.49.70.40 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Type | IR Chip |
| Type de phototransistor | Phototransistor |
| Type de forme d'objectif | Domed |
| Matériau | Silicon |
| Nombre de canaux par puce | 1 |
| Polarité | NPN |
| Orientation de visualisation | Top View |
| Temps de montée maximal (ns) | 7000(Typ) |
| Temps de descente maximal (ns) | 7000(Typ) |
| Courant de lumière maximal (uA) | 22000 |
| Courant collecteur maximal (mA) | 50 |
| Courant d'obscurité maximal (nA) | 100 |
| Tension maximale de collecteur émetteur (V) | 5 |
| Tension collecteur-émetteur maximale (V) | 30 |
| Tension de saturation maximale de collecteur-émetteur (V) | 0.4 |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 250 |
| Technologie de fabrication | NPN Transistor |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -65 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 125 |
| Emballage | Bag |
| Diamètre | 5.31 |
| Installation | Through Hole |
| Hauteur du paquet | 5.56 |
| Carte électronique changée | 3 |
| Nom de lemballage standard | TO |
| Conditionnement du fournisseur | TO-18 |
| Décompte de broches | 3 |
| Forme de sonde | Through Hole |
