Nanya Technology | Arrow.com

型号	价格	库存	供应商	类别	说明	Typical Operating Supply Voltage - (V)	Data Bus Width - (bit)	Organization	Maximum Operating Current - (mA)	Maximum Clock Rate - (MHz)	Maximum Operating Temperature - (°C)	Minimum Operating Supply Voltage - (V)	Minimum Operating Temperature - (°C)	Number of Internal Banks	Address Bus Width - (bit)	ROHS	Pin Count	Number of Bits per Word - (bit)	Supplier Package	Life Cycle	Type	Density - (bit)	Number of Words per Bank	Maximum Access Time - (ns)	Packaging	Maximum Operating Supply Voltage - (V)	Interface Type	Density in Bits - (bit)	Package Family Name

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数据手册共有 3 产品: 查看 NT6TL128M32BA-G0I NT6TL128M32BA-G0I NT6TL128M32BA-G0H	查看数据手册	不同的	Nanya Technology	DRAM 芯片	不同的	1.8	32	128Mx32		1066	不同的	1.7	-40	8	17	Yes	不同的	32	不同的	Active	Mobile LPDDR2 SDRAM	4G	16M			1.95	HSUL_12	4294967296	不同的
NT6TL128M32BA-G0I DRAM Chip Mobile LPDDR2 SDRAM 4Gbit 128Mx32 1.8V 134-Pin FBGA			Nanya Technology	DRAM 芯片	DRAM Chip Mobile LPDDR2 SDRAM 4Gbit 128Mx32 1.8V 134-Pin FBGA	1.8	32	128Mx32		1066	85	1.7	-40	8	17	Yes	134	32	FBGA	Active	Mobile LPDDR2 SDRAM	4G	16M			1.95	HSUL_12	4294967296	BGA
NT6TL128M32BA-G0I DRAM Chip Mobile LPDDR2 SDRAM 4Gbit 128Mx32 1.8V 134-Pin FBGA	获得报价		Nanya Technology	DRAM 芯片	DRAM Chip Mobile LPDDR2 SDRAM 4Gbit 128Mx32 1.8V 134-Pin FBGA	1.8	32	128Mx32		1066	85	1.7	-40	8	17	Yes	134	32	FBGA	Active	Mobile LPDDR2 SDRAM	4G	16M			1.95	HSUL_12	4294967296	BGA
NT6TL128M32BA-G0H DRAM Chip Mobile LPDDR2 SDRAM 4Gbit 128Mx32 1.8V			Nanya Technology	DRAM 芯片	DRAM Chip Mobile LPDDR2 SDRAM 4Gbit 128Mx32 1.8V	1.8	32	128Mx32		1066	105	1.7	-40	8	17	Yes		32		Active	Mobile LPDDR2 SDRAM	4G	16M			1.95	HSUL_12	4294967296

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