Dual-Band (L1 + L2) GPS Low Noise Amplifier using the SiGe BFP640 HBT RF Transistor

Infineon Technologies AG이 부품 BFP640 을 사용하는 참조 설계

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Dual-Band (L1 + L2) GPS Low Noise Amplifier using the SiGe BFP640 HBT RF Transistor.
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Manufacturer

Infineon Technologies AG
  • 응용 프로그램 카테고리
    Wireless Communication
  • 제품 유형
    RF Amplifier

최종 제품의 경우

  • GPS

Description

  • Dual-Band (L1 + L2) GPS Low Noise Amplifier using the SiGe BFP640 HBT RF Transistor. GPS Low Noise Amplifiers (LNAs) for 3V systems, where reception of both L1 (1575.42 MHz) and L2 (1227.6 MHz) GPS signals is required

최종 제품의 경우

  • Operating Frequency
    1227.6|1575.4 MHz
  • Output Power
    24.2 dBm
  • Gain
    27.6 dB

피쳐링 부품 (2)

피쳐링 부품
부품 번호 Manufacturer Type Description
BFP640H6327XTSA1 Infineon Technologies AG RF BJT Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 구매
BFP 640 H6327 Infineon Technologies AG RF BJT Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R 구매

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