CoolSiC™ Trench MOSFET 및 PressFIT/NTC가 적용된 Infineon의 EasyPACK™ 모듈

7 8 2019

Infineon의 F3L11MR12W2M1_B65은 CoolSiC™ MOSFET, NTC, PressFIT Contact Technology이 적용된 새로운 11mΩ 3레벨 모듈입니다. 제품은 Infineon의 EasyPACK™ 2B 제품군을 3레벨 Active Neutral Point Clamped(ANPC) 구조를 통해 확장합니다. 이러한 모듈은 고주파 스위칭, 태양광, 3레벨 애플리케이션에 이상적입니다.

EasyPACK™ 2B 모듈 F3L11MR12W2M1_B65는 최대 효율 99.2%, 고전류 밀도 및 동급 최강의 스위칭 및 전도 손실로 최대 1500Vdc 성능을 제공하며 1200V 스위치가 있습니다. 고객은 SiC 5레벨 구조와 같은 다른 솔루션과 달리 실리콘 카바이드 사용의 이점을 볼 수 있습니다. SiC 3레벨 구조에서 사용되는 스위치 수가 감소하면 현장 고장이 발생할 위험이 감소합니다.

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