SiC解决方案能够实现具有最佳系统性价比的先进新产品设计
功率半导体的未来
使用SiC架构的功率半导体解决方案，在过去几年中展现出巨大的增长，这将会是改革的原动力。这个市场发展背后的驱动力则是依赖以下的趋势：节能，减小尺寸，系统集成和提高可靠性。
快速硅基开关与SiC二极管的组合通常被称为“混合”解决方案。近年来，英飞凌已经生产了数百万个混合模块，并将其安装在各种客户产品中。
使用SiC MOSFET转换器的开关频率增加，可能会导致磁性部件的体积和重量大大减少。根据英飞凌进行的分析，建立在SiC器件上的转换器与现有的基于Si的参考解决方案相比，尺寸仅有三分之一，重量也只有25%。由于体积和重量的显着降低，系统成本也可以降低20%以上。
在接下来的几年中，SiC解决方案将扩展到其他应用领域，如工业或牵引驱动。其原因是市场趋势要求要降低损耗，这不仅是为了提高效率，而且也是为了减小封装，因而也减少了对散热器的要求。如下图所示，SiC已被用于高端和利基解决方案。今日的设计将可使用这些优势来降低特定应用领域的系统成本。
Infineon CoolSiC™ 是改革的原动力
英飞凌CoolSiC™半导体解决方案是迈向能源智能世界的下一个重要一步。作为功率半导体的第一名，我们拥有广泛的应用知识，生产了正确的SiC产品组合，使我们的客户能够以最佳的系统性价比，来开发更先进的新产品设计。
基于成熟的高质量批量生产，英飞凌CoolSiC™解决方案将革命性技术与基准可靠性相结合，使我们的客户能在今日和明日都能获得成功。
CoolSiCTM MOSFET
特色
› 低器件电容
› 温度独立的开关损耗
› 具有低反向恢复电荷的本征二极管
› 无阈值的开状态特性
优势
› 卓越的栅氧化可靠性
› 最佳的开关和传导损耗
› IGBT兼容驱动（+15 V）
› 阈值电压 Vth > 4 V
› 短路稳固性
效益
› 最高效率的降低冷却付出
› 寿命更长，可靠性更高
› 更高频率的操作
› 降低系统成本
› 增加功率密度
› 降低系统复杂性
› 易于设计和实施
应用
› 光伏逆变器（PV）
› 储能/电池充电
› 不间断电源供应器（UPS）
› 开关模式电源供应器（SMPS）
› 工业驱动
› 医疗
基于大量的经验和兼容性技术知识，英飞凌推出了革命性的CoolSiC™ MOSFET技术，可实现全新的产品设计。与诸如IGBT和MOSFET的传统Si基开关相比，SiC MOSFET具有一系列的优点。其中包括，在1200 V开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平，没有反向恢复损耗的内部换向保护体二极管，与温度无关的低开关损耗和无阈值导通状态特性。CoolSiC™ MOSFET在1200V的首款产品是针对光伏逆变器，电池充电和储能应用。CoolSiC™ MOSFET为系统设计人员展现了最佳性能，可靠性和易用性，呈现出从未见过的效率和系统灵活性。
CoolSiC™ MOSFET的首款产品是针对光伏逆变器，电池充电和储能应用。
TO-247-4pin封装包含与源极（开尔文连接）的额外连接，用作栅极驱动电压的参考电位，从而消除了源极电感上的电压降的影响。因此可获得比TO247-3pin版本更低的开关损耗，特别是在较高的电流和较高的开关频率之下。Easy1B模块提供非常好的热接口，低杂散电感和坚固的设计，以及PressFIT连接。
产品组合将在未来几年内扩大。第一步是推出不同的拓扑，如Sixpack和Halfbridge，功率范围从2kW到200kW。
CoolSiC™ 第五代肖特基二极管
碳化硅和硅之间的材料特性差异，将实际的硅单极二极管（肖特基二极管）的制造限制在高达100 V-150 V的范围内，具有较高的通态电阻和漏电流。在SiC材料中，肖特基二极管可以达到更高的击穿电压。英飞凌提供高达1200 V的离散产品和高达1700 V的模块。SiC肖特基二极管的快速开关特性可在系统级明确的提供效率的增进。SiC和高端Si二极管之间的性能差距会随着工作频率的增加而增加。
卓越的效率和浪涌电流能力
第5代的SiC肖特基二极管可提供最佳的效率和坚固性。较低的VF表示具有较低的导通损耗，较低的Qc则表示具有较低的开关损耗。Qc x VF代表着效率上的优势，比较之下证明了第5代产品可与市场上最好的竞争对手相匹敌。此外，第5代SiC可提供的浪涌电流稳定性，远远优于目前最有效率的产品。因此，在异常的状况下，这种浪涌电流能力可提供出色的器件稳固性。相较于周遭所有产品，第5代SiC可同时提供卓越的效率和浪涌电流能力。市场上没有其他的SiC二极管产品能在效率和浪涌电流能力之间实现良好的平衡。一些供应商能够提供更好的效率，但是浪涌电流较弱，而其他供应商可提供更好的浪涌电流，但效率表现较低。
CoolSiC™ 第五代肖特基二极管：最佳价格/性能比
该产品系列已从所有关键要素进行了优化，包括连接结构，基板和裸片附着。它代表了一个平衡良好的产品系列，在具有竞争力的成本级别下，提供最先进的性能和高浪涌电流能力。
创新：优化连结，基板和芯片附着
英飞凌第5代SiC肖特基二极管针对与高功率和高效SMPS应用相关的所有关键要素进行了优化。
SiC 在英飞凌
有超过15年的实地经验
英飞凌是该技术商业使用的先驱。于2001年是全球第一家公司将基于SiC的二极管推出市场，随后于2006年推出全球首个采用SiC组件的商用电源模块。同时，第五代部件也可作为分立器件使用。
在功率模块中，英飞凌提供基于或通过SiC强化的解决方案，主要用于太阳能应用和选定的电机驱动应用。产品设计强力地侧重于仔细的成本性能评估，以便在可以识别实际系统优势的系统和电路中使用新技术。
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