静电放电（Electrostatic discharge，以下简称为ESD）存在于日常生活当中，对电子设备带来严重的威胁，尤其是经常与人体接触的产品，更容易遭受到静电的冲击。本文将为您介绍静电的产生与对电子产品的影响，并介绍防静电的元器件选择。
多样化的ESD保护器件 因应不同的应用需求
什么是ESD呢？这是当两个带电物体（例如人体和电子设备）彼此接触时，便会释放出静电，这种现象便称为ESD。从人体产生的ESD可以是几千伏的量级，当该高压脉冲进入被触摸的电子设备时，将导致其内部的IC电路的故障或破坏。为了防止由于ESD侵入被触摸的电子设备而导致的产品或系统破坏，便需要安装抑制或消除ESD的对应元器件。
需要应对ESD的地方便是在电气设备可能与人体或物体接触的所有点处，都需要采用ESD对策。示例包括USB2.0、USB3.0、输出终端、LAN，或是用户连接或断开连接器的其他点，以及需要触摸电子产品的操作按钮的情况，或者设备在生产过程中会接触到电路板，以及使用连接器将电路板彼此连接的情况。作为ESD对策安装在这些点的部件便称为“ESD保护器件”。
电子设备制造商需要制定适当的ESD对策，以满足每个电子设备的标准，并且已经针对各种目的和产品制定了各种测试和标准。目前有三种针对IC电路和电子组件等各种器件的代表性测试方法，包括HBM（Human Body Model，人体模型）、MM（Machine Model，机器模型）和CDM（Charged Device Model，充电器件模型）。在适用的测试条件下，这些测试中的每一个项目都会根据这些标准在适用的组件和设备上进行。
ESD保护器件在出厂时都需要通过测试，其测试规范包含在标准IEC61000-4-2之中。在测试时会在电路中包括150pF电容器和330Ω的内部电阻，并且通过以2kV、4kV、6kV和8kV的顺序放电四个ESD电压，来评估产品的击穿电阻，以了解这些器件的情况。
ESD保护器件和对策组件的的主要功能是使进入器件的ESD能够逃逸到地面，如果没有保护装置，则具有几千伏电压的ESD将直接应用于内部IC，这将对芯片带来严重的影响。
当ESD保护器件安装在外部接口和IC之间以保护IC时，IC的输入将通过ESD保护器件接地，使ESD能够逃逸到地面。在正常驱动电压（几伏）下，IC与地隔离，因此不会损害数据通信。当向其施加几千伏电压时便将IC电路接地，并且当施加几伏电压时将其与地隔离，这是ESD保护器件的必要功能。
ESD保护器件在操作原理和原材料方面各自不同，以实现必要的功能。EDS保护器件大致分为陶瓷基类型和使用硅或聚合物作为原料的半导体基类型。陶瓷基类型则分为两种，即采用电压依赖型可变电阻器的压敏电阻型，和电极间放电的抑制型，半导体基类型则包括齐纳（恒定电压）二极管类型与场效应晶体管方法。
村田制作所（Murata）是业界生产ESD保护器件的专家，同时提供陶瓷基类型和半导体基类型的ESD保护器件，其中包括采用陶瓷基类型，使用电极间放电技术的LXES A系列，以及采用半导体基类型，使用齐纳（恒定电压）二极管类型与场效应晶体管方法的LXES T系列。
村田制作所提供的陶瓷基类型ESD保护器件使用称为“电极间放电方法”的机制。这些产品的结构使得内部电极在两个方向上彼此面对。通常，电极是隔离的，但是当施加高电压时，在内部电极之间会产生放电，导致电流流到地。
半导体基类型的ESD保护器件使用称为齐纳二极管方法的机制。齐纳二极管由P型半导体（电子不足的条件）和N型半导体（电子过剩的条件）的组合构成。当施加超过击穿电压的过电压（ESD）时，硅基ESD保护器件利用该二极管的技术将电流传递到地。
即使应用范围仅限于日常生活中使用的电子和电气设备，使用ESD保护器件的地方也非常多样化。此外，采用适当的ESD对策可以使设备性能稳定，村田制作所的ESD保护器件具有高性能和高可靠性，并提供完整的产品系列，可用于各种设备和应用。
村田制作所拥有广泛的ESD保护器件，包括用于高速通信的专用器件，超小型器件和集成噪声滤波器的产品。这些器件还可用于替代压敏电阻、齐纳二极管（TVS）和抑制器。产品线包括由陶瓷制成的LXES A系列，由硅制成的LXES T系列的ESD保护器件，以及由ESD保护器件和共模扼流圈所集成的LXES D系列，可提供客户多样化的选择。