MOSFET是常见的功率半导体器件，是可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。随着越来越多电子产品希望缩小尺寸，对于缩小MOSFET尺寸的要求也越来越高，由Nexperia最新推出的LFPAK56D MOSFET，将可以满足这类的需求。
双功率MOSFET有效减小产品体积
过去数十年来，MOSFET的尺寸不断地变小缩小。早期的集成电路MOSFET工艺中，沟道长度约在几个微米的等级。但是到了今日的集成电路工艺，这个参数已经缩小了几十倍甚至超过一百倍。至90年代末，MOSFET尺寸仍在不断缩小，让集成电路的效能大大提升，这些技术上的突破与半导体工艺的进步有着密不可分的联系。
MOSFET的尺寸越小越好，越小的MOSFET代表着其沟道长度减少，让沟道的等效电阻也减少，可以过更大的电流。虽然沟道宽度也可能跟着变小而让沟道等效电阻变大，但是如果能降低单位电阻，那么这个问题就可以解决。
此外，MOSFET的尺寸变小意味着栅极面积减少，如此可以降低等效的栅极电容。此外，越小的栅极通常会有更薄的栅极氧化层，这可以让前面提到的沟道单位电阻值降低。不过这样的改变同时会让栅极电容反而变得较大，但是和减少的沟道电阻相比，优点仍多于缺点，而MOSFET在尺寸缩小后的切换速度也会因为上面两个因素而变快。
于2017年初从恩智浦（NXP）标准产品部门独立出来的Nexperia公司，于近日推出全新的80 V双功率SO8 MOSFET，采用热门的LFPAK56D封装。LFPAK56D采用铜夹鸥翼封装技术，在一个Power-SO8封装中包含两个隔离MOSFET。 LFPAK56D占用的PCB空间（31 mm2）比两个DPAK的空间（140 mm2）减少77%，空间比单一的Power-SO8器件减少了50%，可节省空间、重量和成本。
这款采用新的80 V技术发布的产品，扩展了Nexperia的LFPAK鸥翼系列，LFPAK56、LFPAK56D和LFPAK33中的铜夹器件，为客户提供了极大的灵活性，以优化其设计性能，灵活性和尺寸。随着这款全新的80 V MOSFET的应用，Nexperia现在可提供业界最全面的器件产品系列，范围从30 V到100 V。
LFPAK56D通常用于电磁阀控制，电机控制和DC / DC电源转换等应用中，80V组合专门用于发动机管理和LED照明应用。发动机管理是一个要求苛刻的应用领域，PCB模块暴露在恶劣的温度环境。这些温度循环导致PCB膨胀和收缩，导致PCB焊点出现显著的应力。由于LFPAK56D的独特设计，PCB焊点上的这些应力将可被吸收，从而获得出色的电路板级可靠性。在发动机管理、变速器传动控制和ABS / ESP系统等高严格要求的应用中，通过结合创新的内部和外部封装功能，LFPAK56D是发动机管理系统应用的理想MOSFET。LFPAK56D器件完全符合汽车认证的AEC-Q101标准，具有具有一流的性能、良好的质量和可靠性。
LFPAK56D 是最优的汽车用双功率MOSFET， 将更多的功率封装到Power-SO8封装之中，LFPAK56D使用Nexperia的尖端铜夹技术将两个MOSFET组合在一个坚固的封装，而不会影响性能，允许卓越的电流处理能力，超低封装电阻和最高的稳固性和可靠性。Nexperia的LFPAK56D适用于发动机管理系统的各种应用场合。
LFPAK56D将两个MOSFET封装成单个封装，可完美的节省空间。在热性能方面，由于采用铜夹技术，因此可以提供高功率密度，且占用的面积较小，其具有超低导通电阻，在40V时只有5.8mΩ，且无内部线连结，具有同类最佳性能，并具有可靠性和可制造能力，拥有较高的板级可靠性，易于进行光学检测，并具备坚固的焊点，每个信道可支持高达40 A的额定电流，在高瞬态下同时具有稳固性与一流的性能。
随着崭新的工艺与封装技术，让MOSFET的体积大为缩小，却仍拥有较高的功率与效能，并同时具有绝佳的可靠性，Nexperia公司采用LFPAK56D封装的80 V双功率SO8 MOSFET，将是你选择功率器件的绝佳选择。
