作为领先的宽带隙半导体制造商，onsemi 是 SiC 技术的先驱，并创造了最低 RDSon 的 SiC MOSFET 之一。onsemi 可提供同类产品中最佳的封装技术与全面的高能效电源方案，包括先进的基于碳化硅 (SiC) 的器件，例如 SiC MOSFET、SiC 二极管、SiC 和氮化镓 (GaN) 驱动器和集成式模块等。
onsemi 推出了两个新系列：1200 V 和 900 V N 沟道 SiC MOSFET，扩展了其宽带隙 (WBG) 器件系列。阅读此文章，探索创新型 SiC MOSFET 令人兴奋的新用例，以及哪些终端应用程序将从中获益最多。