器件可在提高系统效率的同时快速切换以驱动功率IGBT和MOSFET
工业应用的系统设计工程师正在寻找在单个IC封装中高度集成且具有保护功能的栅极驱动芯片。新开发的FOD8334是一款先进的4.0 A输出电流IGBT/MOSFET驱动光电耦合器。
该器件的绝缘工作电压额定值（VIORM）为1,414 V，比竞争产品高13%，允许器件直接驱动1200 V IGBT。共模瞬态抗扰度（CMTI）比竞争解决方案好100%以上，而切换期间每周期动态功耗（ESW）比竞争对手低50%。
这些高压部件允许给定额定功率的系统在较高电压和较低电流下工作，其中噪声滤波损耗变得较少，所以逆变器的功率会更高。
FOD8334集成了必要的关键保护功能，可防止导致IGBT发生破坏性热失控的故障。它降低了设计的复杂性，因为大多数保护功能都是内置的，因此无需电路板设计人员指定额外的组件。
该器件采用安森美半导体专有的Optoplanar®共面封装技术和优化的IC设计，可实现高绝缘电压和高抗噪性，具有高共模抑制特性。
该器件采用宽体16引脚小外形塑料封装，在紧凑的封装中提供高隔离性能。
FOD8334是在接受客户建议后来进行开发的，并结合了多项功能，专门解决他们面临的严峻挑战。这是我们以客户为中心的一部分，也是我们成为创新电源管理解决方案首选来源的目标。安森美半导体为客户提供功率器件、专业设计知识和制造经验的独特组合，助力客户设计出令人惊艳的电子产品。
由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的FOD8343系列，是一款具有4.0 A最大峰值输出电流的栅极驱动光电耦合器，能够驱动中等功率的IGBT/MOSFET。它非常适合用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统的快速开关驱动。FOD8343系列采用6引脚宽体封装，可实现8 mm爬电距离和间隙距离，以及0.4 mm的绝缘距离（FOD8343T），并优化IC设计，实现可靠的高绝缘电压和高抗噪性。FOD8343系列是由AlGaAs LED构成的光耦合集成电路，带有推挽式MOSFET输出级的高速驱动器。
FOD8343系列在输出级使用P沟道和N沟道MOSFET，可使输出电压摆幅接近供电轨。 此系列具有10 V~30 V的宽电压工作范围和50 kV/µs高共模抑制特性，可在-40°C至100°C的工业温度范围下运作。在整个工作温度范围内可快速切换速度，最大的传输延迟仅有210 ns，具有65 ns最大脉冲宽度失真。它符合UL1577标准，支持1分钟5,000 VACRMS，同时符合DIN EN/IEC60747-5-5标准，达到1,140 V峰值工作绝缘电压，可满足严格安全认证。并以具有竞争力的价格作为其它供应商器件的直接替代品。
高速逻辑门光电耦合器
安森美半导体最新推出的FOD8173系列逻辑门光电耦合器，采用宽体6引脚小外形塑料封装，由AlGaAs LED和CMOS检测器IC组成，包括集成光电二极管，高速阻抗放大器和带图腾柱输出驱动器的电压比较器。该器件可在-40°C至100°C的工业温度范围运作，并在3 V至5.5 V的VDD范围内保证电气和开关特性。
FOD8173系列具有8 mm爬电距离和间隙距离，以及0.4 mm的绝缘距离（FOD8173T），可实现可靠的高压绝缘，符合UL1577与DIN-EN/IEC60747-5-5安全标准。高速AlGaAs LED可实现高达20 Mbps数据速率的高开关速度，具有高抗噪能力，以共模瞬变抗扰度（CMTI）为特征。具有3.3V和5V电源电压有助于逻辑电平转换。
FOD8173系列极具竞争力，它的功能和引脚兼容于其它供应商。器件可满足严格安全认证，具有可靠的高压绝缘、高抗噪能力，最适合应用于与微处理器系统接口（SPI、I2C）和工业现场总线通信（DeviceNet、CAN、RS485）的高速数据通信、可编程逻辑控制和隔离数据采集系统。
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